940nm VCSEL（单结外延）阵列工艺平台：
l 高深度&高垂直角度的Mesa蚀刻工艺
l 高均匀性的湿法氧化工艺
l 可进行高深宽比深孔填充的电镀工艺
l 阵列20ea~400ea，一字排布或者方形排布
l 在特定外延及芯片结构设计下，工作电流下PCE大于40%
940nm VCSEL（单结外延）阵列工艺平台：
l 高深度&高垂直角度的Mesa蚀刻工艺
l 高均匀性的湿法氧化工艺
l 可进行高深宽比深孔填充的电镀工艺
l 阵列20ea~400ea，一字排布或者方形排布
l 在特定外延及芯片结构设计下，工作电流下PCE大于40%