晶圆测试
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台阶仪
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用于2-6英寸wafer,厚度＜20mm
1、垂直方向分辨率：1Å
2、横向分辨率： 100nm
3、台阶重复性： 0.1μm台阶高度上的5Å，1sigma
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外延片表面缺陷测试仪
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光学模组：物镜5X，10X，20X
半自动平台：行程：200mm X and Y
静态重复性：小于3%
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A-Step膜厚段差测量仪
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扫描长度：≥55mm
单次扫描最大数据点：60,000个
样品台：150mm
探针压力范围：1-15mg（0.03mg选配）
X-Y行程范围：≧100mm
Stylus尖端尺寸：2.5μm
测量重复性：1σ < 0.1um
垂直范围量程：600μm
6寸向下兼容
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PL荧光光谱量测系统
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晶片尺寸：2、4、6英寸
最小标测分辨率：2英寸＞0.5mm，4英寸＞1mm，6英寸＞2mm
PW, FWHM, dip of DBR重复性精度：<±0.5nm
峰值强度、积分强度、绝对反射率倾角：< ±5%
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EL量测试系统
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测试电流If范围：100pA~1A
测试精度：（1%+2counts）
顺向电压VF量程：0.1mV~20V
测试精度：（0.1%+2counts）
峰值波长量程：从380nm~780nm
测试精度：0.5nm （对标准光源元素特征波长）
发光强度量程：1~30,000 mcd
量测精度：4% （对标准光源）ll 色坐标（x,y）
量程： 0.000~1.0000 量测重复性±0.003 （对标准光源）
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XRD（X光衍射仪）
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X射线管高度可调6mm
载片台调节：十：100+/-0.01mm Y：100+/-0.01mm Z：10+/-0.01mm
功率因数：720+/-0.01Psi:180+/-0.01
角度重现性：±0.0001度
扫描方式：θ/θ扫描方式
探测器：X'Celerator
超能探测器、充Xe正比探测器
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颗粒仪（自动光学检查系统）
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含×5，×10，×20三组物镜（可配×50，×100物镜）
白光LED照明，可明、暗视场转换操作，自动对焦
单个像素尺寸：4.54μm
成像尺寸：2752×2200像素
可测试50mm-200mm范围内硅片
可分辨外延层表面200nm-1μm尺寸的缺陷
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场发射电子枪SEM
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放大倍率：15X-800000X
加速电压：0-30KV
电子枪：肖特基场发射电子枪
样品台行程：X：0-100mm，Y：0-100mm，Z：0-50mm，R：360°连续，T：-5°-﹢70°
分辨率（二次电子30KV）：1nm
分辨率（二次电子1KV）：3nm
分辨率（背散射电子30KV）：2.5nm
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四探针测试仪
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电阻率：10-5～105 Ω.cm
方块电阻：10-4～106 Ω
电导率：10-5～105s/cm
电阻：10-5～105 Ω
数字电压表：分辨率10μV
精度：±0.1%
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椭偏仪
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光谱范围：250 nm-1650nm
入射角：45º-90º
样品厚度：< 8mm
样品直径：最大200mm
光斑直径：<5mm
膜厚测量范围：1nm-20um
折射率精度：0.0005
膜厚测量精度：小于0.9nm（基于标准片）
光谱分辨率：小于2nm
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计数机
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100mm*100mm视场：
不透明晶粒，最小可识别晶粒5*5mil
半透明晶粒，5*5mil
透明晶粒：最小可识别电极尺寸为 Φ80um
晶粒间距：支持最小1.1倍扩膜后间距
最大计数误差：不透明 ≦ ±0.01%
透明晶粒/半透明晶粒：≦±0.03%
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膜厚测试仪
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光谱范围：370-1000nm
光谱分辨率：200–1000nm：1.6 nm，900–1700nm：3.2nm
样品大小：12寸向下兼容
膜厚测量范围（仅测膜厚时）：15 nm – 100um
膜厚测量重复性：0.1nm
准确度：2nm 或 0.4％
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LED点测机
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卡盘均匀性：0.01 mm重复性X、Y、Z
轴：2μm电压
测量范围：0-200电流V电流
测量范围：0-1A
光谱仪波长范围：350-1050nm
亮度测量范围：0.00-65000 mcd
电压最佳分辨率：5uVBest
精度：0.02%电流最佳
分辨率：10pA
最佳精度：0.035%
光谱仪分辨率：0.3nm
重复性：0.4nm
亮度测量范围：0.00-65000
mcd重复性：3%
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薄膜应力仪
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激光波长：635nm/ 5mW
应力量程：1-5000 Mpa
量程内最大扫描点数：Max. 1万个点
最小扫描步长：0.1 mm
重复性：<1%（曲率半径小于20m时），3%（曲率半径小于100m时）