亮相武汉光博会

光电子信息产业是应用广泛的战略高技术产业，也是我国有条件率先实现突破的高技术产业。

本届武汉光博会发布区域面积达20000平方米，吸引了来自全球370多个明星企业共同亮相。为期三天的大会吸引了5万名专业观众参会，20场同期活动不仅场场爆满，还吸引线上观众超过30万人次共享本次光电盛宴。

作为受邀单位，光电子先导院携VCSEL单孔晶圆、VCSEL阵列晶圆、砷化镓（GaAs）IPD晶圆、氮化镓（GaN）HEMT晶圆4项成果亮相本届展会，吸引了诸多业内人士参观、交流及洽谈业务合作。

据光电子先导院技术人员介绍，“公司研发技术团队仅用了6个月的开发周期，就完成了VCSEL单孔晶圆、VCSEL阵列晶圆2款产品的全流程工艺开发，通过了1000H的高温高湿、高温带电、冷热冲击等可靠性测试，并发布了PDK（Process Design Kit，工艺设计套件）。这意味着公司已经具备了相应的工艺代工能力。”

此外，“基于常开型 GaN HEMT 技术，公司研发技术团队还完成了器件不同技术路线工艺流程的开发；针对GaAs无源器件模型，开发了无源器件成套工艺，完成薄膜电阻、平板电容、螺旋电感等器件的建模。公司已经具备GaN HEMT 、GaAs无源器件共性基础工艺能力，正在进一步优化器件性能，可同步对接研发流片需求”，光电子先导院技术人员说。

发挥平台价值

助力新质生产力加速形成

光电子先导院成立于2015年，专注于化合物半导体领域，经过9年的发展，该公司打造了“公共平台+专项基金+专业服务”的光电芯片创新服务生态，已经具备为光电子产业各类创新主体提供研发、中试、检测、工程化等全流程技术服务。

光电子先导院目前拥有超百人的完整的工艺技术团队，拥有先进化合物半导体关键设备100余台（套），拥有百级到万级超洁净间8000㎡。

光电子先导院总经理杨军红介绍称，“公司已经建成了4-6英寸公共服务平台和6英寸先进光子器件工程创新平台。该平台面向化合物光电芯片，基于砷化镓(GaAs）、氮化镓（GaN）、磷化铟（InP）等半导体材料，开发激光器芯片、探测器芯片工艺，为光电子产业创新企业提供研发、中试代工等业务，可满足创新主体不同的需求，以及为企业的多发展阶段提供技术服务。”

截至目前，光电子先导院的4-6英寸公共服务平台已聚集入驻光电子领域初创企业40余家，吸引了唐晶量子、赛富乐斯、广东致能等优秀的化合物光电芯片项目落地西安，聚拢了一批海归高端人才，“筑巢引凤”作用突出；6英寸化合物工程创新平台自2023年3月建成后继续为唐晶量子、赛富乐斯等一批优秀光电企业提供流片、测试等技术服务。

杨军红表示，作为陕西省和西安市光子产业链“链主”企业，为进一步培育陕西光子产业竞争新优势，在“跃迁行动”的整体部署下，光电子先导院拟继续追加投资，对现有平台进行升级。一方面，拟对现有化合物光子器件中试平台进行升级扩能，新增高可靠车规级激光器芯片工艺设备；另一方面拟新建“8英寸先进硅光集成技术创新平台”，新增硅光工艺设备，开发先进硅光集成芯片工艺技术，具备硅光工艺研发、中试能力。

光电子先导院完成平台扩能升级后，将实现“化合物+硅光芯片”全流程的研发、试验、中试能力，将持续解决光子产业科技成果从实验室到产业化的‘痛点’难题，将不断吸引全球光子企业聚焦陕西、扎根陕西，助推陕西千亿级光子产业创新集群加快形成，赋能新质生产力加速“跃迁”。